Необходимо помнить, что, помимо некоторых более ранних измерений Камбела (Campbell) и Козака (Kozak) (1948 г.), практически все работы по трению графита выполнены на поликристаллических образцах. Было бы более ценным, если выполнить эксперименты на единичных кристаллах различно ориентированными. Некоторые исследования в этом направлении были описаны Сэ-виджем (1959 г.), который использовал небольшиечитать далее
Поверхность скалывания графита является поверхностью низкой энергии. Это подтверждается, например, тем фактом, что вода не смачивает поверхность скалывания и не растекается по ней. С другой стороны, края кристалла графита являются высокоактивными и легко реагируют с кислородом и водяным паром. Поэтому на воздухе кристалл графита состоит из естественных поверхностей скалывания низкойчитать далее
В действительности Бэкон (1950 г.) не нашел обнаруживаемого изменения в решетке графита, когда дегазированный графит помещался в кислород или пары воды, что наводит на мысль об отсутствии прослойки из этих газов, как, например, это имеет место для брома. Однако в экспериментах Бэкона графит дегазируется при температуре меньше 900°С и возможно,читать далее
Если это так, то можно было бы ожидать снижения прочности на срез основной массы, но этого не наблюдалось. С другой стороны, Роу предлагает, что при более высоких температурах поверхностные слои ориентируются наиболее благоприятно для низкого трения. По этому вопросу являются желательными дальнейшие исследования. При трении чистых металлов по графиту вчитать далее
В некоторых случаях сколотые частицы могут скатываться в крошечные спиральки, в связи с чем было предположено Боллмаи (Bollman; Spread-borough, 1960 г.), что трение обусловливается качением поверхностей по этим спиралькам. Хотя это является интересным предположением, тем не менее не имеется количественного доказательства, чтобы сказать, что это действительно так.читать далее
Небольшие пластинки графита, которые состоят всего из одного кристалла, обладают неожиданно высокой пластичностью в связи с тем, что движение дислокаций осуществляется в данном случае относительно легко (Цузуки, 1957 г.) (Tsuzuku). Однако при скольжении поверхности одного кристалла по другому на значительное расстояние затрачивается значительная работа. В противоположность этому отделение одной плоскостичитать далее